Mô tả sản phẩm tấm pin năng lượng mặt trời Vsun545-144BMH-DG công suất 545W
Tấm pin năng lượng mặt trời Vsun545-144BMH-DG công suất 545W dựa trên các tấm silicon kích thước lớn 182mm, thiết kế 10 lưới chính bằng thiếc hàn tròn giúp giảm khoảng cách giữa lưới chính và lưới nhỏ, giảm tổn thất điện năng để sản phẩm đạt công suất tối đa 545W. Đồng thời, áp dụng công nghệ cắt laser mới nhất có thể giảm thiệt hại khi cắt các tấm hai mặt, giảm tỷ lệ mảnh vụn và nâng cao độ tin cậy chất lượng của mô-đun. Cùng với việc sử dụng công nghệ hàn khe hở nhỏ mới nhất, khoảng cách giữa các tế bào quang điện được giảm thiểu đến 0,5mm và hiệu suất chuyển đổi của mô-đun được cải thiện lên đến 21,32%, cải thiện đáng kể tính năng của sản phẩm.
VSUN545-144BMH-DG với công nghệ chồng lớp hai mặt không chỉ tận dụng ánh sáng mặt trời chiếu trực tiếp vào mặt trước của mô-đun mà còn từ phía sau để tận dụng tối đa ánh sáng phản xạ và tán xạ. trong môi trường, có thể thúc đẩy phát điện trong môi trường phản xạ cao như tuyết và cát, tăng công suất phát điện tối đa lên 30%, phát điện tốt hơn và hiệu suất bức xạ thấp vượt trội.
Thông số kỹ thuật tấm pin năng lượng mặt trời Vsun545-144BMH-DG công suất 545W
Loại mô-đun | VSUN545-144BMH-DG | VSUN540-144BMH-DG | VSUN535-144BMH-DG | VSUN530-144BMH-DG |
Công suất tối đa – Pmax (W) | 545 | 540 | 535 | 530 |
Điện áp mạch mở – Voc (V) | 49,81 | 49,65 | 49,5 | 49,35 |
Dòng ngắn mạch – Isc (A) | 13,92 | 13,85 | 13,78 | 13,71 |
Điện áp công suất tối đa – Vmpp (V) | 41,8 | 41,65 | 41,5 | 41,35 |
Dòng điện tối đa – Impp (A) | 13.04 | 12,97 | 12,9 | 12,82 |
Hiệu quả mô-đun | 21,32% | 21,13% | 20,93% | 20,74% |
Đặc tính điện với mức tăng công suất phía sau khác nhau (tham chiếu đến mặt trước 540)
Pmax (W) | Voc (V) | Isc (A) | Vmpp (V) | Impp (A) | Tăng Pmax |
567 | 49,65 | 14,54 | 41,70 | 13,62 | 5% |
594 | 49,65 | 15,24 | 41,70 | 14,27 | 10% |
648 | 49,75 | 16,62 | 41,80 | 15,56 | 20% |
675 | 49,75 | 17,31 | 41,80 | 16,21 | 25% |
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.