Quét đường cong I-V (I-V curve scanning) là gì?

Đường cong I-V là gì?

Đường cong I-V (I-V curve), còn gọi là đặc tuyến I-V, là đồ thị thể hiện dòng điện (I) của tế bào hoặc tấm pin quang điện thay đổi theo điện áp (V).[9] Đường cong bắt đầu trên trục dòng điện tại dòng ngắn mạch Isc, nơi điện áp bằng 0.[11] Đường cong kết thúc trên trục điện áp tại điện áp hở mạch Voc, nơi dòng điện bằng 0.[12]

Về bản chất, đường cong I-V của tế bào quang điện là đặc tính của một điốt trong bóng tối cộng thêm dòng điện do ánh sáng sinh ra.[9] Tấm pin khỏe cho đường cong trơn, chỉ có một góc gập.[13] Lỗi về điện trở, bóng che hay tấm hỏng làm hình dạng này lệch đi theo sáu kiểu được trình bày ở mục 6.[7]

Máy quét I-V (I-V curve tracer) là gì?

Máy quét I-V (I-V curve tracer) là thiết bị điện tử thay đổi tải ở hai đầu tấm pin hoặc chuỗi pin để đo dòng điện (I) và điện áp (V) tại nhiều điểm làm việc.[1] Ở mỗi điểm, dòng điện và điện áp được đo đồng thời, trong dải từ 0 V đến Voc.[6]

Với linh kiện bán dẫn, máy quét đặc tuyến đo trực tiếp đặc tính I-V của điốt, điốt Zener, MOSFET và transistor lưỡng cực (BJT).[2] Trong hệ điện mặt trời, phép quét được làm bằng máy đo cầm tay tại hiện trường[6] hoặc bằng đầu vào quét I-V tích hợp trong biến tần.[5]

Quét đường cong I-V dùng để làm gì?

Quét đường cong I-V giúp nhận diện lỗi của tấm pin và chẩn đoán kịp thời các dạng hỏng.[1] Ở cấp chuỗi, số liệu I-V phục vụ chẩn đoán lỗi tự động, khoanh vùng lỗi, ước tính tốc độ suy giảm và phát hiện kiểu bám bẩn.[5]

Quét đường cong I-V được xem là phép đo đầy đủ nhất về hiệu năng của một mạch nguồn quang điện, tức một chuỗi pin.[14] Máy quét I-V được dùng khi nghiệm thu hệ thống, khi vận hành bảo trì định kỳ và khi xử lý sự cố hiệu năng.[6]

Quét đường cong I-V khác đo Voc và Isc bằng đồng hồ ở điểm nào?

Đồng hồ vạn năng đo được bốn con số là Voc, Vmp, Imp và Isc. Bốn con số này chưa đủ để biết chuỗi pin phản ứng thế nào khi tải thay đổi.[6]

TCVN 11855-1:2017 ghi phép đo dòng điện chuỗi nhằm kiểm tra đặc tính vận hành đúng, không được lấy làm phép đo tính năng của môđun hoặc dàn.[10] Bảng dưới so hai cách đo dễ bị nhầm với nhau.

Điểm ngắn mạch: dòng ngắn mạch Isc

Dòng ngắn mạch (short-circuit current, Isc) là dòng điện chạy qua tế bào quang điện khi hai đầu tế bào bị nối tắt, tức điện áp bằng 0.[11] Isc là dòng điện lớn nhất có thể lấy ra từ tế bào, và Isc phụ thuộc trực tiếp vào cường độ ánh sáng chiếu tới.[11]

Trên đường cong, Isc là điểm đầu của đoạn gần nằm ngang.[7] Một tấm pin 590 W loại 144 tế bào có Isc 13,94 A ở điều kiện chuẩn.[4]

Điểm hở mạch: điện áp hở mạch Voc

Điện áp hở mạch (open-circuit voltage, Voc) là điện áp lớn nhất tế bào quang điện tạo ra, đo được khi hai đầu để hở và không có dòng điện chạy ra.[12] Trên đường cong, Voc là điểm cuối của đoạn gần thẳng đứng.[7]

Với chuỗi nối tiếp, Voc dự kiến của chuỗi được tính từ Voc đo trên một môđun đơn lẻ.[10] Cách tính Voc chuỗi được trình bày ở ví dụ mục 8.

Điểm công suất cực đại: Imp, Vmp và Pmax

Điểm công suất cực đại (maximum power point, MPP) là điểm trên đường cong cho công suất lớn nhất, ký hiệu Pmax.[9] Điểm MPP nằm tại điện áp Vmp và dòng điện Imp,[9] ở góc gập của đường cong I-V.[6] Công suất Pmax bằng tích Vmp với Imp.[15]

Tấm 590 W ở trên có Vmp 44,43 V và Imp 13,28 A.[4] Tích 44,43 V × 13,28 A cho khoảng 590 W, khớp công suất danh định (số tự tính). Cách biến tần dò và bám điểm MPP khi vận hành được trình bày ở bài MPPT.

Đường cong I-V thay đổi theo nắng và nhiệt độ như thế nào?

Khi bức xạ thấp, chiều cao của đường cong giảm, tức Isc thấp hơn.[6] Nhiệt độ tác động mạnh nhất lên Voc: với tế bào silic, Voc giảm khoảng 2,2 mV cho mỗi °C tăng thêm.[16] Isc tăng nhẹ theo nhiệt độ, khoảng 0,06 % mỗi °C với tế bào silic.[16]

Datasheet tấm pin ghi các hệ số này theo %/°C: tấm 590 W ở trên có hệ số nhiệt Voc −0,250 %/°C và hệ số nhiệt Isc +0,045 %/°C.[4] Kết quả đo tại hiện trường của dàn pin không được kỳ vọng bằng tích của số tấm với thông số từng tấm.[17] Mỗi kết quả đo cần so với giá trị dự đoán tính theo bức xạ và nhiệt độ thực tế lúc đo.[14]

Hệ số lấp đầy FF đo độ "vuông" của đường cong

Hệ số lấp đầy (fill factor, FF) là tỷ số giữa công suất lớn nhất và tích của điện áp hở mạch Voc với dòng ngắn mạch Isc.[15] FF đo độ "vuông" của đường cong và bằng diện tích hình chữ nhật lớn nhất nằm vừa dưới đường cong.[15]

FF = (V_MP × I_MP) / (V_OC × I_SC)

FF lớn nhất của tế bào silic thương mại điển hình là 0,83, còn FF thực tế thấp hơn do tổn thất điện trở ký sinh.[15] Với tấm 590 W ở mục 2, FF tính từ datasheet bằng 590 W chia cho 52,37 V × 13,94 A, khoảng 0,81 (số tự tính). Đường cong càng kém vuông, FF càng nhỏ.[15]

Hệ số hiệu năng PF so kết quả đo với giá trị dự đoán

Hệ số hiệu năng (performance factor, PF) là phần trăm giữa công suất lớn nhất đo được (Pmax đo) và công suất lớn nhất dự đoán (Pmax dự đoán).[7]

Giá trị dự đoán được tính từ thông số danh định của tấm pin, cùng bức xạ và nhiệt độ đo được lúc quét.[14] Đường cong có hình dạng bình thường và PF từ 90 % đến 100 % được xem là đạt.[7]

Tỷ số Imp/Isc và Vmp/Voc

FF dùng để sàng lọc ban đầu; sau đó người đo so tỷ số Imp/Isc và Vmp/Voc của các chuỗi lân cận.[6] Tỷ số dòng (current ratio) là Imp chia cho Isc, còn tỷ số áp (voltage ratio) là Vmp chia cho Voc.[7]

Với tấm 590 W ở mục 2, tỷ số dòng bằng 13,28 A chia 13,94 A, khoảng 0,95 (số tự tính). Tỷ số áp bằng 44,43 V chia 52,37 V, khoảng 0,85 (số tự tính). Tỷ số áp thấp gắn với điện trở nối tiếp, còn tỷ số dòng thấp gắn với điện trở song song.[7]

Điện trở nối tiếp và điện trở song song làm méo đường cong ra sao?

Điện trở nối tiếp (series resistance, Rs) là điện trở trên đường đi của dòng điện trong tế bào, gồm điện trở của lớp bán dẫn, của tiếp xúc kim loại với silic và của các đường kim loại.[18] Tác động chính của điện trở nối tiếp là làm giảm FF.[18] Rs không ảnh hưởng đúng tại Voc nhưng ảnh hưởng mạnh tới vùng sát Voc, và Rs đủ lớn còn làm giảm Isc.[18]

Điện trở song song (shunt resistance, Rsh) là điện trở của đường rẽ nhánh bên trong tế bào, nơi dòng quang điện có thể đi tắt thay vì chạy ra mạch ngoài.[19] Rsh thấp thường do khuyết tật sản xuất, và tác động của Rsh thấp nặng hơn khi bức xạ yếu.[19]

Ngoài hiện trường, Rs của chuỗi tăng khi dây nối tế bào nứt hoặc đứt, dây dẫn ăn mòn, dây thiếu tiết diện hoặc mối nối có điện trở.[6][7]

Thiết bị thay đổi tải từ ngắn mạch đến hở mạch

Máy quét I-V có năm cấu hình tải chính: điện trở biến đổi, tụ điện, tải điện tử, bộ biến đổi DC-DC và nguồn bốn góc phần tư.[1] Ở cấu hình tụ điện, tấm pin nạp cho tụ và đi từ trạng thái ngắn mạch sang hở mạch. Tải điện tử dùng transistor MOSFET hoặc IGBT làm tải điều khiển.[1]

Đường cong có thể được quét theo chiều nào cũng được.[6] Chiều quét thuận (forward) đi từ Isc đến Voc, còn chiều quét ngược (reverse) đi từ Voc đến Isc.[8]

Thời gian quét, số điểm đo và tốc độ quét

Một lần đo đường cong I-V thường mất chưa đến một giây.[5] Cả quy trình đo một chuỗi tại hiện trường mất khoảng 10 đến 15 giây.[6] Một dòng máy đo cầm tay cho chọn 100 hoặc 500 điểm mỗi đường cong, thời gian quét từ 0,05 đến 2 giây.[21]

Tốc độ quét (sweep rate) là tốc độ điện áp đặt lên tấm pin hoặc thiết bị quang điện đang đo thay đổi theo thời gian.[8] Với tế bào hiệu suất cao, tốc độ quét không nên vượt 10 V mỗi giây cho mỗi tế bào.[6]

Đo bức xạ, nhiệt độ và chọn thời điểm quét

Quy trình đo tại hiện trường có bước xác nhận bức xạ đồng đều trên dàn pin.[17] Cảm biến bức xạ và nhiệt độ cần được kích hoạt và ghi số cùng lúc với lần quét I-V.[6]

Cảm biến nhiệt độ nên đặt về phía giữa tấm, vì mép tấm thường mát hơn.[6] Đầu cặp nhiệt điện phải tiếp xúc tốt với mặt sau tấm pin, vì khe hở không khí làm số đo nhiệt độ thấp hơn thực tế.[7]

Phép đo nên làm khi thời tiết tương đối ổn định và bức xạ trên 700 W/m², thường trong khoảng 4 giờ quanh giữa trưa.[7] IEC 61829 đặt mức bức xạ tối thiểu 700 W/m² cho phép đo dàn pin tại hiện trường.[14] Bức xạ thay đổi quá 1 % hoặc 2 % trong lúc quét làm hỏng số liệu.[6]

Ở mức 850 W/m², dao động 2 % tương ứng khoảng 17 W/m² (số tự tính). Hệ giám sát tự động loại đường cong nếu bức xạ thay đổi hơn khoảng 15 W/m² trong một phút trước hoặc sau lần quét.[5]

Quy đổi kết quả về điều kiện chuẩn STC

Điều kiện thử nghiệm tiêu chuẩn (standard test conditions, STC) là điều kiện đo chung để định mức tấm pin, gồm bức xạ 1.000 W/m², nhiệt độ tế bào 25 °C và phổ AM1.5G.[4][22] IEC 60891 quy định các quy trình hiệu chỉnh nhiệt độ và bức xạ cho đặc tính I-V đo được.[23]

Với Voc, phép quy đổi theo nhiệt độ lấy Voc đo được chia cho 1 cộng tích của hệ số nhiệt β (%/°C) với chênh lệch nhiệt độ.[14]

V_OC,trans = V_OC,meas / [1 + (β_VOC/100) × (T_meas − T_trans)]

Trong công thức, T đo là nhiệt độ tế bào lúc quét, còn T quy đổi là nhiệt độ của điều kiện cần quy về.[14] Điều kiện đo càng gần STC, sai số khi quy đổi càng nhỏ.[7]

Biến tần quét đường cong I-V của chuỗi pin như thế nào?

Máy quét kiểu bộ biến đổi DC-DC ở mục 4 cũng được dùng trong bộ điều khiển MPPT để nhận biết tình trạng bóng che.[1] Biến tần thông minh có một số đầu vào quét đường cong I-V và đo được đường cong của dàn hoặc dàn con.[5]

Trên một số biến tần, phép quét đưa chuỗi sang chế độ đo riêng, khác chế độ bám điểm công suất cực đại khi phát điện.[24] Biến tần cho chuỗi làm việc ở nhiều điểm và ghi dòng điện ở từng mức điện áp. Kết quả hiện thành đường I-V hoặc đường P-V và xuất được ra tệp CSV hoặc PDF.[24] Kết quả quét của nhiều chuỗi được so với nhau để tìm chuỗi bất thường.[3]

Máy đo đường cong I-V cầm tay hoạt động ra sao?

Máy đo cầm tay đi kèm cảm biến bức xạ và cặp nhiệt điện loại K.[25] Phần mềm của máy dùng số liệu cảm biến để dự đoán hình dạng đường cong ở điều kiện đo.[25]

Người đo so hình dạng đường đo được với đường dự đoán của mô hình hiệu năng tích hợp trong máy.[6] Dải dòng đo khác nhau giữa các phiên bản máy. Một phiên bản máy 1.500 V DC chỉ đo đến 10 A với tấm hiệu suất từ 19 % trở lên, phiên bản khác đo đến 30 A.[25]

An toàn khi đo bằng máy cầm tay

Quy trình đo của IEC 61829 có bước ngắt dàn pin trước khi nối hệ thống đo.[17] Đo đường cong I-V ngoài hiện trường là làm việc trên hoặc gần mạch đang mang điện.[6] Người đo cần đồ bảo hộ cá nhân và quy trình khóa, treo thẻ (lockout-tagout).[6]

Ở hộp gom chuỗi, người đo mở cầu dao một chiều, tháo cầu chì, kẹp dây đo rồi lắp từng cầu chì để đo từng chuỗi.[6]

So sánh nhanh quét trên biến tần và máy đo cầm tay

Hai cách quét khác nhau ở ba điểm chính:

1. Người tại hiện trường: quét trên biến tần có thể chạy không cần chuyên gia hay thiết bị đo tại chỗ.[26] Máy cầm tay cần người đo và quy trình an toàn ở trên.[6]
2. Độ chi tiết: biến tần chỉ có số đầu vào quét hạn chế, có thể không đo riêng từng chuỗi.[5] Máy cầm tay đo riêng từng chuỗi tại hộp gom chuỗi.[6]
3. Thời điểm đo: hệ giám sát tự động đo lặp lại theo lịch.[5] Máy cầm tay dùng theo đợt nghiệm thu, bảo trì hoặc khi xử lý sự cố.[6]

Đọc chức năng quét I-V trên datasheet biến tần

Tên dòng tính năng quét I-V khác nhau giữa các hãng, ví dụ "I/V Curve scanning" hoặc "Smart I-V Curve Diagnosis".[27][28] Datasheet của một biến tần chuỗi 110 kW có 9 bộ MPPT ghi các dòng liên quan như bảng dưới.[29]

Bậc thang hoặc vết khía: bóng che, bẩn không đều, điốt bypass

Điốt bypass (bypass diode) là điốt mắc song song, ngược cực với một nhóm tế bào, dẫn điện khi tế bào bị che rơi vào phân cực ngược.[30]

Khi bóng che không đều, các điốt bypass dẫn và đường cong xuất hiện nhiều bậc hoặc điểm uốn.[13] Tấm lệch thông số trong chuỗi cũng tạo vết khía hoặc bậc trên đường cong.[6]

Cách biến tần tìm điểm công suất lớn nhất trên đường cong nhiều bậc thuộc bài Quét đa đỉnh MPPT trong cùng loạt thông số.

Isc thấp: đường cong bị hạ thấp

Đường cong thấp xuống có thể do bẩn đều, bẩn ở mép tấm, suy giảm tấm pin hoặc bức xạ thấp.[6] Bóng che dạng dải và gờ bẩn đọng ở mép dưới tấm cũng làm Isc đo thấp hơn dự đoán.[7]

Đo bức xạ thường là nguồn sai số lớn nhất trong phép đo hiệu năng quang điện.[7] Chọn sai model tấm trong cơ sở dữ liệu của máy quét cũng làm Isc đo thấp hơn dự đoán.[7]

Voc thấp: đường cong bị co hẹp

Nguyên nhân của Voc thấp gồm đo sai nhiệt độ tế bào, điốt bypass ngắn mạch, thiếu tấm trong chuỗi, dây bị kẹp và PID.[7] Suy giảm do điện thế cảm ứng (potential-induced degradation, PID) là hiện tượng tấm pin silic mất công suất khi chịu điện áp cao, do các ion linh động làm thay đổi điện trường trong lớp bán dẫn.[31]

Voc tụt gần bằng Voc của một tấm gợi ý chuỗi thiếu một tấm.[6] Voc tụt ít hơn gợi ý một hoặc nhiều nhóm tế bào bị nối tắt hoặc hoạt động không đúng.[6]

Góc gập tròn và độ dốc bất thường

Góc gập tròn hơn, khi xuất hiện riêng lẻ, nhiều khả năng là biểu hiện của quá trình lão hóa tấm pin.[7] Chuỗi có góc gập tròn cần được đo lại và theo dõi qua thời gian.[7]

Điện trở nối tiếp tăng làm đoạn gần thẳng đứng ở phía Voc nghiêng vào trong, tức độ dốc giảm.[6][13] Điện trở song song giảm làm đoạn gần nằm ngang ở phía Isc chúc xuống, tạo độ dốc âm gần Isc.[6][13]

Quy trình khoanh vùng lỗi sau khi đọc đường cong

Trình tự khoanh vùng lỗi theo dạng đường cong gồm sáu bước[6]:

1. Kiểm tra hình dạng. Nếu có bậc thang, tìm bóng che, kể cả bóng che một phần tế bào.
2. Tìm bẩn không đều và vết cháy trên mặt kính hoặc tấm nền sau.
3. So với chuỗi lân cận bằng FF, rồi xem tỷ số Imp/Isc và Vmp/Voc.
4. Nghi điện trở nối tiếp: chia đôi chuỗi kém và đo từng nửa.
5. Nghi Isc thấp do bẩn: lau một chuỗi lúc trời quang gần trưa, dùng chuỗi bên cạnh làm đối chứng.
6. Nghi Voc thấp: so Voc đo với Voc kỳ vọng để biết thiếu cả tấm hay chỉ một nhóm tế bào.

Cách chia đôi chuỗi tìm một tấm lỗi mất khoảng một phần ba thời gian so với đo lần lượt từng tấm.[7] Cách chia đôi có thể bỏ sót lỗi nhỏ ở nửa khỏe, vì các tấm khỏe hơn che lấp lỗi đó.[7]

Kết quả phụ thuộc cảm biến bức xạ và nhiệt độ

Sai số đo bức xạ 1 % hoặc 2 % có thể lớn hơn hẳn sai số đo dòng và áp của máy quét.[7] Một dòng máy đo cầm tay ghi độ chính xác điện áp ±0,5 % ± 0,25 V và dòng điện ±0,5 % ± 0,04 A.[21] Cảm biến bức xạ đi kèm cùng dòng máy có độ chính xác ±2 %.[21]

Cách dùng chính dàn pin làm cảm biến bức xạ không thấy được bẩn đều và suy giảm Isc hoặc Voc.[6]

Quét trên biến tần khó tách riêng từng chuỗi

Biến tần chỉ có số đầu vào quét I-V hạn chế, nên thường không đo được riêng từng chuỗi.[5] Giám sát cấp chuỗi là phương án tối ưu để phát hiện và khoanh vùng phần lớn lỗi của dàn pin.[5]

Quét dày làm tăng tổn thất vận hành

Tần suất đo đường cong I-V cao làm tăng tổn thất vận hành, và thiết bị đo I-V có thể bị mài mòn không cần thiết.[5] Phép đo I-V cấp chuỗi trong hệ giám sát tự động cách ly chuỗi khỏi dàn trong 1 đến 2 giây.[5] Nếu cách ly 2 giây mỗi 40 phút, chuỗi bị tách khỏi dàn khoảng 0,08 % thời gian (số tự tính).

Lỗi nhỏ có thể lộ ra muộn

Lỗi nhỏ như vết nứt tế bào có thể chỉ hiện trên số liệu I-V sau một thời gian tồn tại.[5] Ảnh điện phát quang (EL) hoặc ảnh huỳnh quang tử ngoại (UVF) phát hiện vết nứt sớm hơn nhiều, nhưng cần thiết bị chụp ảnh chuyên dụng.[5]

Bước 1: tính giá trị kỳ vọng của chuỗi ở STC

Datasheet tấm ghi ở STC: Voc 52,37 V, Vmp 44,43 V, Isc 13,94 A, Imp 13,28 A, mỗi tấm có 3 điốt bypass.[4] Voc dự kiến của chuỗi được tính từ Voc của một môđun.[10]

1. Voc kỳ vọng của chuỗi: 18 × 52,37 V = 942,66 V (số tự tính).
2. Vmp kỳ vọng của chuỗi: 18 × 44,43 V = 799,74 V (số tự tính).
3. Pmax kỳ vọng của chuỗi: 18 × 590 W = 10.620 W (số tự tính).
4. Ví dụ giả định 18 tấm giống hệt nhau, nên Isc và Imp kỳ vọng của chuỗi lấy bằng 13,94 A và 13,28 A của một tấm.
5. FF kỳ vọng: 10.620 W chia cho 942,66 V × 13,94 A, khoảng 0,81 (số tự tính).

Bước 2: quy đổi Voc theo nhiệt độ lúc đo

Giả định lần quét diễn ra ở bức xạ 850 W/m² và nhiệt độ tế bào 55 °C. Datasheet ghi hệ số nhiệt Voc −0,250 %/°C.[4] Công thức quy đổi ở mục 4 cho các bước sau[14]:

1. Chênh lệch nhiệt độ so với STC: 55 °C − 25 °C = 30 °C.
2. Hệ số nhân: 1 + (−0,250 / 100) × 30 = 0,925 (số tự tính).
3. Voc chuỗi ở 55 °C: 942,66 V × 0,925, khoảng 871,96 V (số tự tính).
4. Phần chênh do nhiệt độ: 942,66 V − 871,96 V = 70,70 V, khoảng 7,5 % (số tự tính).

Ví dụ giả định phần mềm máy đo đã quy đổi kết quả về STC theo IEC 60891.[23]

Bước 3: so kết quả với giá trị kỳ vọng

Giả định đường cong trơn, chỉ có một góc gập và không có độ dốc bất thường. Số đã quy về STC gồm Isc 13,80 A, Voc 925,0 V và Pmax 10.350 W.

1. Isc thấp hơn kỳ vọng: (13,94 A − 13,80 A) chia 13,94 A, khoảng 1,0 % (số tự tính).
2. Voc thấp hơn kỳ vọng: 942,66 V − 925,0 V = 17,66 V, khoảng 1,9 % (số tự tính).
3. FF đo được: 10.350 W chia cho 925,0 V × 13,80 A, khoảng 0,81, bằng FF kỳ vọng (số tự tính).
4. PF: 10.350 W chia 10.620 W, nhân 100, khoảng 97,5 % (số tự tính).

Đường cong có hình dạng bình thường và PF từ 90 % đến 100 % được xem là đạt.[7]

Bước 4: suy ra nguyên nhân và khoanh vùng tấm lỗi

Voc tụt ít hơn Voc của một tấm gợi ý một nhóm tế bào bị nối tắt hoặc hoạt động không đúng.[6] Mức hụt 17,66 V nhỏ hơn Voc 52,37 V của một tấm (số tự tính).

1. Ví dụ giả định 3 điốt bypass chia tấm thành ba nhóm tế bào bằng nhau.
2. Mỗi nhóm đóng góp khoảng 52,37 V chia 3, tức 17,46 V, gần bằng mức hụt 17,66 V (số tự tính).
3. Người đo chia chuỗi thành hai nửa 9 tấm, đo lại từng nửa rồi tiếp tục chia đôi nửa có Voc hụt đến khi tìm ra tấm lỗi.[6]

TCVN 11855-1:2017 xếp thử nghiệm đường cong I-V vào Phân loại 2

TCVN 11855-1:2017 áp Phân loại 1 cho mọi hệ không phân biệt quy mô, còn Phân loại 2 được thiết kế cho hệ lớn hơn và phức tạp hơn.[10] Phân loại 1 gồm các phép thử thông mạch dây nối đất, cực tính, hộp kết nối, Voc, dòng chuỗi, chức năng và điện trở cách điện.[10]

Phân loại 2 gồm thử nghiệm đường cong I-V của chuỗi và kiểm tra ảnh nhiệt hồng ngoại (IR).[10] Các thử nghiệm Phân loại 1 phải được thực hiện và thông qua trước khi bắt đầu các thử nghiệm Phân loại 2.[10]

Thử nghiệm đường cong I-V thay được phép đo riêng Voc và Isc

Theo mục 5.3.4 của TCVN 11855-1:2017, thử nghiệm đường cong I-V là phương pháp thay thế chấp nhận được, không yêu cầu tách riêng thử nghiệm Voc và Isc.[10] Thử nghiệm đường cong I-V cũng độc lập với bộ nghịch lưu.[10]

Voc chuỗi phải khớp giá trị dự kiến trong khoảng 5 %

Mục 6.4 của TCVN 11855-1:2017 yêu cầu Voc đo của chuỗi khớp với giá trị dự kiến, thường trong khoảng 5 %.[10] Mục đích của phép đo Voc là kiểm tra các môđun trong chuỗi được đi dây đúng.[10]

Với chuỗi 18 tấm ở mục 8, khoảng 5 % ứng với khoảng 47 V, gần bằng Voc 52,37 V của một tấm (số tự tính). Mức hụt 1,9 % ở ví dụ mục 8 nằm trong khoảng 5 % này (số tự tính).

IEC 61829 và ấn bản tiêu chuẩn đang hiệu lực

IEC 61829:2015, ấn bản 2.0, quy định quy trình đo đặc tính dàn pin phẳng tại hiện trường và tính đến các máy quét I-V thương mại thông dụng.[20] Quy trình đo của IEC 61829 gồm lau tấm, kiểm tra bóng che, xác nhận bức xạ đồng đều, ngắt dàn và quy đổi kết quả. Kết quả sau đó được hiệu chỉnh tổn thất do bẩn.[17]

IEC 62446-1:2016 thay IEC 62446 năm 2009 và mở rộng phạm vi sang hệ lớn hơn, phức tạp hơn.[32] IEC 62446-1 hiện có bản hợp nhất IEC 62446-1:2016+AMD1:2018.[32] TCVN 11855-1:2017 dựa trên bản 2016, chưa gồm Sửa đổi 1 năm 2018.[10]

IEC ghi năm ổn định 2026 cho IEC 62446-1 và cho IEC 61829:2015.[32][20] Ấn bản 2 của IEC 62446-1 đang ở giai đoạn dự thảo CDV, mã IEC 82/2364/CDV:2025.[33]