Xem mục lục
Điện áp hở mạch Voc là điện áp lớn nhất của tế bào quang điện và xuất hiện khi dòng điện bằng không.[1] Trên đường đặc tính I-V, Voc là điểm cắt trục điện áp còn Isc là điểm cắt trục dòng điện.[3]
Voc là viết tắt của cụm tiếng Anh open circuit voltage.[1] Silic chất lượng cao đạt Voc tới 764 mV dưới phổ AM1.5 ở mức một mặt trời.[1] Tế bào silic thương mại có Voc điển hình 690 mV.[1]
Điện áp hở mạch của silic giảm 2,2 mV trên mỗi °C khi nhiệt độ tăng.[4] Tấm pin 36 tế bào nối tiếp cho Voc 21 V ở điều kiện thử nghiệm chuẩn.[7] Tại điểm hở mạch, dòng qua tấm pin bằng không nên điện trở nối tiếp không tác động tới Voc.[10]
Điện áp hở mạch Voc là điện áp giữa hai cực của tế bào hoặc tấm pin quang điện khi mạch ngoài không dẫn dòng.[1] Đây là điện áp lớn nhất mà thiết bị quang điện tạo ra và nó ứng với dòng điện bằng không.[1] Voc cùng với Isc, Vmp và Imp tạo nên bộ thông số cơ bản của đường đặc tính I-V.[3]
1. Điện áp hở mạch Voc là gì trong hệ điện mặt trời Định nghĩa
Điện áp hở mạch Voc là điện áp lớn nhất mà một tế bào quang điện tạo ra và nó xuất hiện khi dòng bằng không.[1] Trên đường đặc tính I-V, Voc là điểm cắt trục điện áp còn Isc là điểm cắt trục dòng điện.[3] Giá trị này phản ánh mức độ tái hợp hạt tải bên trong tế bào.[1] Công nghệ quang điện hấp thụ năng lượng ánh sáng rồi chuyển thành điện năng qua vật liệu bán dẫn.[25] Nhiều tế bào được nối lại thành tấm pin nên điện áp hở mạch của tấm pin là tổng điện áp các tế bào nối tiếp.[25][7]
Điện áp hở mạch là gì theo định nghĩa
Điện áp hở mạch là điện áp đo được ở hai cực khi mạch ngoài không dẫn dòng.[1] PVEducation nêu Voc là điện áp lớn nhất lấy được từ tế bào quang điện.[1] Trạng thái này ứng với dòng điện qua tế bào bằng không.[1] Vì vậy cụm điện áp mạch hở và ký hiệu Voc cùng chỉ một đại lượng.[1]
Công thức tính điện áp hở mạch
PVEducation đưa ra biểu thức Voc bằng nkT chia q rồi nhân logarit tự nhiên của IL chia I0 cộng một.[1] Trong đó IL là dòng quang sinh và I0 là dòng bão hòa ngược của điốt.[1] Mô hình một điốt của Sandia mô tả dòng tế bào bằng dòng quang sinh trừ dòng điốt trừ dòng rò song song.[20] Mô hình này dùng năm tham số gồm IL, I0, điện trở nối tiếp, điện trở song song và hệ số lý tưởng n.[20]
Giá trị Voc điển hình của tế bào silic
Silic chất lượng cao đạt Voc tới 764 mV dưới điều kiện một mặt trời với phổ AM1.5.[1] Tế bào silic thương mại có Voc điển hình 690 mV.[1] Phổ AM1.5 Global dành cho tấm phẳng có công suất tích hợp 1000 W/m2 theo ASTM G-173-03.[9] Điện trở nối tiếp không làm thay đổi Voc vì dòng qua tế bào bằng không tại điểm hở mạch.[10]
2. Mạch hở là gì và khác mạch kín ra sao Nguyên lý
Mạch hở là mạch điện bị ngắt nên không có dòng điện chạy qua các phần tử trong mạch.[10] PVEducation nêu rõ tại điểm hở mạch, dòng qua tế bào và qua điện trở nối tiếp đều bằng không.[10] Mạch kín thì ngược lại vì dòng khép được vòng và tế bào đẩy dòng ra mạch ngoài.[2] Ý nghĩa của mạch hở trong điện học nằm ở chỗ điện áp vẫn tồn tại dù dòng bằng không.[1] Khái niệm mạch hở trong dòng điện vì thế gắn liền với đại lượng điện áp hở mạch.[1]
Mạch hở là mạch như thế nào
Mạch hở là mạch mà đường dẫn dòng bị gián đoạn nên dòng điện bằng không.[10] Nguồn vẫn duy trì hiệu điện thế giữa hai cực trong trạng thái này.[1] Với tế bào quang điện, hiệu điện thế đó chính là Voc.[1] Đây là lý do câu hỏi mạch hở là gì trong kỹ thuật điện luôn đi kèm điện áp hở mạch.[1]
Mạch kín cho dòng điện chạy qua
Mạch kín tạo đường dẫn liên tục nên dòng quang sinh chảy ra mạch ngoài.[2] Khi điện áp hai cực bằng không, dòng đạt giá trị ngắn mạch Isc.[2] Mô hình một điốt dựng phương trình dòng theo định luật dòng Kirchhoff cho nút mạch.[20] Điện trở song song thấp tạo thêm một đường dẫn dòng thay thế ngay bên trong tế bào.[11]
Thế nào là mạch điện hở trong dàn pin
Tình trạng mạch hở trong hệ thống điện mặt trời xảy ra khi một mối nối hoặc thiết bị đóng cắt bị ngắt.[18] Chuỗi nối tiếp khi đó không mang dòng nhưng hai đầu chuỗi vẫn có điện áp.[22] IEC 62548-1:2023 đặt yêu cầu thiết kế cho đi dây DC, thiết bị bảo vệ điện, đóng cắt và tiếp địa của dàn pin.[18] Các chuỗi nối tiếp phải mang cùng một dòng còn các chuỗi song song phải làm việc ở cùng điện áp.[22]
3. Voc là viết tắt của từ gì và đo trong điều kiện nào Ký hiệu
Voc là viết tắt của cụm tiếng Anh open circuit voltage, nghĩa là điện áp hở mạch.[1] Open circuit chỉ trạng thái mạch không khép nên dòng qua mạch bằng không.[10] IEC 60904-1:2020 ấn bản 3.0 ban hành ngày 25 tháng 9 năm 2020 mô tả quy trình đo đường I-V của thiết bị quang điện.[13] Tiêu chuẩn này áp dụng cho tế bào, cụm tế bào và tấm pin dùng trong môi trường mặt đất.[13] IEC 60904-3:2019 ấn bản 4.0 ban hành ngày 15 tháng 2 năm 2019 nêu nguyên tắc quy chiếu kết quả về phân bố phổ bức xạ mặt trời tham chiếu chung.[14]
Open circuit voltage là gì trong tiếng Anh
Cụm open circuit voltage được PVEducation dùng để chỉ điện áp lớn nhất của tế bào quang điện.[1] Ký hiệu rút gọn của cụm này là Voc.[1] Bản dịch sát nghĩa sang tiếng Việt là điện áp hở mạch.[1] Tài liệu thông số của tấm pin luôn ghi Voc cùng với Isc, Vmp và Imp.[3]
Điều kiện đo đường đặc tính I-V
IEC 60904-1:2020 cho phép đo trong ánh sáng mặt trời tự nhiên hoặc ánh sáng mô phỏng.[13] Phổ AM1.5 Global dùng làm chuẩn có công suất tích hợp 1000 W/m2.[9] Bộ Năng lượng Hoa Kỳ nêu hiệu suất được xác định khi chiếu sáng ở mức chuẩn không đổi và giữ nhiệt độ tế bào không đổi.[24] NREL đo I-V cả trong điều kiện mô phỏng lẫn ngoài trời để giảm độ bất định của phép đo.[28]
Hiệu chỉnh kết quả đo về điều kiện chuẩn
IEC 60891:2021 ấn bản 3.0 ban hành ngày 27 tháng 10 năm 2021 quy định quy trình hiệu chỉnh nhiệt độ và bức xạ cho đường I-V đo được.[15] Tiêu chuẩn này bổ sung hướng dẫn chọn quy trình hiệu chỉnh theo từng loại ứng dụng.[15] IEC 61215-1:2021 ấn bản 2.0 ban hành ngày 23 tháng 2 năm 2021 nêu yêu cầu thử nghiệm để đánh giá thiết kế tấm pin mặt đất.[16] NREL dùng hệ đèn nháy xenon và hệ đèn xenon 25 kW chiếu liên tục cho phép đo tấm pin.[28]
4. Điện áp hở mạch Voc khác Vmp Isc và Imp thế nào Thông số
Voc là điện áp khi dòng bằng không còn Isc là dòng khi điện áp bằng không.[3] Vmp và Imp là điện áp và dòng tại điểm công suất cực đại trên đường I-V.[3] Hệ số lấp đầy FF bằng tích của Vmp với Imp chia cho tích của Voc với Isc.[5] FF thể hiện độ vuông của đường I-V và cùng Voc, Isc quyết định công suất lớn nhất.[5] Vmp luôn nhỏ hơn Voc nên biến tần không bao giờ vận hành đúng tại điểm hở mạch.[6]
Vmp là điện áp tại công suất cực đại
Vmp là điện áp mà tại đó tấm pin cho công suất lớn nhất.[6] PVEducation dùng giá trị khởi đầu Vmp bằng 0,9 Voc cho phép lặp và hội tụ sau hai vòng.[6] Quan hệ giữa Vmp và Voc là một phương trình ẩn cần giải bằng cách lặp.[6] Điều này cho thấy Vmp luôn thấp hơn Voc trên cùng một tấm pin.[6]
Isc và Imp trên cùng đường đặc tính
Isc là dòng chạy qua tế bào khi điện áp hai cực bằng không.[2] Isc bằng mật độ dòng Jsc nhân với diện tích tế bào.[2] Tế bào silic thương mại có Jsc từ 28 mA/cm2 đến 35 mA/cm2.[2] Imp là dòng tại điểm công suất cực đại nên luôn nhỏ hơn Isc.[3]
Điện trở ký sinh tác động khác nhau
Điện trở nối tiếp không ảnh hưởng Voc vì dòng tại điểm hở mạch bằng không.[10] Tác động chính của điện trở nối tiếp là làm giảm hệ số lấp đầy.[10] Điện trở song song thấp làm giảm cả dòng lẫn điện áp và rõ nhất khi cường độ sáng thấp.[11] Vì vậy Voc và Isc phản ánh hai cơ chế tổn hao khác nhau bên trong tấm pin.[10][11]
5. Nhiệt độ ảnh hưởng điện áp hở mạch Voc ra sao Nhiệt độ
Điện áp hở mạch giảm khi nhiệt độ tế bào tăng.[1] PVEducation nêu mức giảm điện áp hở mạch của silic là 2,2 mV trên mỗi °C.[4] Dòng bão hòa I0 tăng gấp đôi mỗi khi nhiệt độ tăng thêm 10 °C.[4] Dòng ngắn mạch của silic chỉ tăng 0,06 % trên mỗi °C nên ảnh hưởng nhỏ hơn nhiều.[4] Công suất cực đại của silic giảm từ 0,4 % đến 0,5 % trên mỗi °C.[4]
Vì sao nhiệt độ kéo Voc xuống
Nhiệt độ tăng làm dòng bão hòa ngược của điốt tăng nhanh.[4] Dòng I0 tăng gấp đôi cho mỗi 10 °C nhiệt độ tăng thêm.[4] Bộ Năng lượng Hoa Kỳ nêu pin mặt trời hoạt động tốt nhất ở nhiệt độ thấp.[24] Nhiệt độ cao làm dịch chuyển tính chất của vật liệu bán dẫn.[24]
Hệ số nhiệt của điện áp hở mạch
PVEducation đưa biểu thức dVoc trên dT bằng âm 0,0043 cộng Voc1 chia 300.[4] Đơn vị của biểu thức này là V trên mỗi °C.[4] Mô hình dàn pin của Sandia tính Voc bằng Voc0 cộng số hạng logarit của bức xạ hiệu dụng cộng betaVoc nhân hiệu nhiệt độ.[21] Nhiệt độ tham chiếu T0 trong mô hình này là 25 °C.[21]
Nhiệt độ vận hành thực tế của tấm pin
Nhiệt độ vận hành là kết quả cân bằng giữa nhiệt sinh ra và nhiệt tỏa ra môi trường.[8] Nhiệt độ tăng làm giảm điện áp của tấm pin và kéo công suất phát xuống.[8] Tốc độ suy giảm vật liệu tăng gấp đôi cho mỗi 10 °C nhiệt độ tăng thêm.[8] Nhiệt độ thấp cho điện áp hở mạch cao hơn vì Voc giảm theo chiều tăng của nhiệt độ.[4]
6. Cách tính điện áp hở mạch của chuỗi tấm pin khi thiết kế Tính toán
Tấm pin gồm nhiều tế bào nối gần như luôn theo kiểu nối tiếp để tăng công suất và điện áp.[7] Điện áp tổng bằng điện áp một tế bào nhân với số tế bào nối tiếp.[7] Tấm pin 36 tế bào nối tiếp cho Voc 21 V ở điều kiện thử nghiệm chuẩn.[7] Tấm pin hiện đại thường dùng 60 hoặc 72 tế bào để đạt công suất cao hơn.[7] Voc của chuỗi bằng Voc một tấm nhân số tấm nối tiếp rồi hiệu chỉnh theo nhiệt độ tế bào.[7][4]
Cộng dồn điện áp theo số tấm nối tiếp
Nối tiếp làm tăng điện áp còn nối song song làm tăng dòng.[7] Điện áp chuỗi bằng điện áp mỗi tấm nhân với số tấm mắc nối tiếp.[7] Các chuỗi nối tiếp trong dàn phải mang cùng một dòng điện.[22] Các chuỗi mắc song song phải làm việc ở cùng một điện áp.[22]
Hiệu chỉnh Voc theo nhiệt độ thiết kế
Mô hình Sandia lấy nhiệt độ tham chiếu 25 °C cho các thông số công bố.[21] Mô hình cộng thêm số hạng betaVoc nhân hiệu giữa nhiệt độ tế bào và 25 °C.[21] Hệ số betaVoc0 được xác định ở mức bức xạ 1000 W/m2.[21] IEC 60891:2021 quy định quy trình hiệu chỉnh nhiệt độ và bức xạ cho đường I-V đo được.[15]
Giới hạn điện áp DC của dàn pin
IEC 62548-1:2023 đặt yêu cầu thiết kế cho dàn pin gồm đi dây DC và thiết bị bảo vệ điện.[18] IEC 60269-6:2010 áp dụng cho cầu chì bảo vệ chuỗi và dàn pin ở điện áp danh định tới 1 500 V DC.[19] UL Solutions công bố chứng nhận đầu tiên cho tấm pin ở mức 2 000 VDC vào năm 2024.[27] Chứng nhận đó dựa trên UL 61730-1 và UL 61730-2.[27]
7. Vì sao Voc quyết định giới hạn điện áp đầu vào biến tần Lưu ý
Voc là điện áp cao nhất mà chuỗi tấm pin đưa tới đầu vào biến tần.[1] Điện áp này xuất hiện lúc mạch chưa khép nên dòng qua chuỗi bằng không.[10] Mô hình biến tần của Sandia dùng tham số VDC0 là mức điện áp DC đạt công suất AC danh định.[23] Tham số mô hình được ước lượng từ đường hiệu suất đo ở mức điện áp DC nhỏ nhất, danh định và lớn nhất.[23] IEC 62548-1:2023 bao trùm mọi phần của dàn pin cho tới thiết bị chuyển đổi điện.[18]
Điện áp hở mạch tạo ngưỡng thiết kế
Điện áp hở mạch của chuỗi là giá trị điện áp lớn nhất trên đường đặc tính I-V.[3] Mô hình biến tần lấy điện áp DC đầu vào bằng điện áp công suất cực đại của dàn.[23] Voc luôn cao hơn Vmp trên cùng một tấm pin.[6] Vì vậy Voc là ngưỡng chặn trên khi chọn số tấm nối tiếp trong một chuỗi.[7]
Điều kiện lạnh sinh ra Voc cao nhất
Điện áp hở mạch tăng khi nhiệt độ tế bào giảm.[4] Mức thay đổi của silic là 2,2 mV trên mỗi °C.[4] Mô hình Sandia cộng số hạng betaVoc nhân hiệu nhiệt độ so với 25 °C.[21] Thời điểm nhiệt độ thấp và mạch chưa khép là lúc chuỗi cho điện áp cao nhất.[4][10]
Tiêu chuẩn ràng buộc điện áp hệ thống
IEC 61730-1:2023 ấn bản 3.0 ban hành ngày 13 tháng 9 năm 2023 nêu yêu cầu cấu tạo để tấm pin vận hành an toàn về điện và cơ.[17] IEC 60269-6:2010 phục vụ bảo vệ chuỗi và dàn pin trong mạch tới 1 500 V DC.[19] UL Solutions cấp chứng nhận cho tấm pin ở mức 2 000 VDC trong năm 2024.[27] UL Solutions chứng nhận tấm pin theo bộ UL 61730 và bộ IEC 61215.[26]
8. Cách đo điện áp hở mạch Voc an toàn ngoài hiện trường Đo kiểm
Đo Voc là đo điện áp hai đầu chuỗi khi mạch ngoài không dẫn dòng.[10] IEC 60904-1:2020 mô tả quy trình đo đường I-V trong ánh sáng tự nhiên hoặc ánh sáng mô phỏng.[13] NFPA 70E là tiêu chuẩn an toàn điện nơi làm việc nhằm bảo vệ người lao động khỏi điện giật và hồ quang.[30] IEC 62548-1:2023 quy định yêu cầu về thiết bị đóng cắt và tiếp địa cho dàn pin.[18] Kiểm tra điện và giám sát hiệu năng nằm trong nhóm công việc bảo trì của hệ điện mặt trời.[29]
Chuẩn bị trước khi đo tại hiện trường
Tấm pin hấp thụ năng lượng ánh sáng và tạo ra điện nên dàn pin luôn có điện khi còn nắng.[25] IEC 62548-1:2023 đưa yêu cầu cho thiết bị đóng cắt và tiếp địa của dàn.[18] NFPA 70E hướng tới bảo vệ người lao động khỏi nguy cơ điện giật và hồ quang điện.[30] Kiểm tra điện là một phần của bảo trì phòng ngừa theo báo cáo NREL.[29]
Ghi lại điều kiện bức xạ và nhiệt độ
Giá trị Voc đo được phụ thuộc nhiệt độ tế bào tại thời điểm đo.[4] Mô hình Sandia còn cho Voc phụ thuộc bức xạ hiệu dụng qua một số hạng logarit.[21] IEC 60891:2021 quy định quy trình hiệu chỉnh nhiệt độ và bức xạ về điều kiện tham chiếu.[15] IEC 60904-3:2019 nêu nguyên tắc quy chiếu kết quả về phổ bức xạ mặt trời tham chiếu chung.[14]
So sánh kết quả với tài liệu thông số
Thông số công bố được xác lập khi chiếu sáng ở mức chuẩn không đổi và giữ nhiệt độ tế bào không đổi.[24] Phổ AM1.5 Global dùng cho tấm phẳng có công suất tích hợp 1000 W/m2.[9] NREL đo I-V trong buồng mô phỏng lẫn ngoài trời để giảm bất định của phép đo.[28] PVEducation nêu lệch điện áp hở mạch giữa các tế bào nối tiếp là dạng lệch tương đối lành tính.[12]
9. Ngắn mạch và hở mạch trong hệ điện mặt trời khác nhau thế nào So sánh
Hở mạch là trạng thái dòng bằng không còn ngắn mạch là trạng thái điện áp bằng không.[10][2] Ngắn mạch trong hệ thống điện năng lượng mặt trời được mô tả qua dòng Isc của tế bào.[2] Isc là dòng chạy qua tế bào quang điện khi hai cực bị nối tắt.[2] Ngắn mạch và hở mạch là hai điểm biên của cùng một đường đặc tính I-V.[3] IEC 62548-1:2023 đặt yêu cầu cho thiết bị bảo vệ điện trong dàn pin.[18]
Ngắn mạch và hở mạch là gì
Ngắn mạch xảy ra khi hai cực bị nối tắt và điện áp giữa chúng bằng không.[2] Hở mạch xảy ra khi đường dẫn bị ngắt và dòng qua mạch bằng không.[10] Isc và Voc là hai giá trị đo được ở hai trạng thái đó.[3] Cặp khái niệm ngắn mạch hở mạch vì thế được giải thích gọn bằng đường đặc tính I-V.[3]
Dòng ngắn mạch của tế bào quang điện
Isc phụ thuộc diện tích tế bào, cường độ sáng và phổ ánh sáng.[2] Mật độ dòng ngắn mạch lý thuyết lớn nhất của silic là 46 mA/cm2.[2] Thiết bị trong phòng thí nghiệm đạt trên 42 mA/cm2.[2] Dòng của chuỗi nối tiếp không vượt quá dòng của tế bào yếu nhất.[12]
Bảo vệ dàn pin trước sự cố điện
IEC 60269-6:2010 nêu yêu cầu bổ sung cho cầu chì bảo vệ chuỗi và dàn pin.[19] Phạm vi áp dụng của tiêu chuẩn này là mạch có điện áp danh định tới 1 500 V DC.[19] IEC 62548-1:2023 bao gồm đi dây DC, thiết bị bảo vệ điện, đóng cắt và tiếp địa.[18] Điện trở song song thấp tạo đường dẫn dòng thay thế và gây tổn hao công suất trong tế bào.[11]
10. Câu hỏi thường gặp về điện áp hở mạch Voc Hỏi đáp
Phần này gom các câu hỏi thường gặp về điện áp hở mạch và mạch hở.[1] Mỗi câu trả lời bám vào tài liệu quốc tế đã dẫn trong bài.[13] Nội dung tập trung vào tế bào và tấm pin quang điện.[25] Các giá trị số đều gắn với điều kiện đo cụ thể.[9]
Q1Mạch hở là gì?
Q2Điện áp hở mạch là gì?
Q3Hở mạch là gì?
Q4Điện áp hở mạch Voc là gì?
Q5Điện áp hở mạch pin mặt trời là gì?
Q6Open circuit voltage là gì?
Q7Ngắn mạch hệ thống điện năng lượng mặt trời là gì?
Q8Ngắn mạch và hở mạch là gì?
Q9Voc là viết tắt của từ gì trong tiếng Anh?
Q10Thế nào là mạch điện hở?
Mạch điện hở là mạch không tạo được vòng kín cho dòng điện.[10] Trong hệ điện mặt trời, một mối nối bị ngắt hoặc thiết bị đóng cắt mở đều gây ra tình trạng này.[18] Chuỗi khi đó không mang dòng nhưng hai đầu vẫn có điện áp bằng Voc.[1]
11. Việt Nam Solar và danh sách cửa hàng Nhà phân phối
Việt Nam Solar là nhà phân phối chính hãng hơn 20 thương hiệu điện mặt trời hàng đầu thế giới. Công ty hoạt động từ năm 2018, giữ vai trò tổng thầu EPC và đơn vị ESCO cho nhiều dự án. Đội ngũ kỹ thuật tính điện áp hở mạch của chuỗi và chọn cấu hình dàn pin theo biến tần của anh chị. Anh chị được hỗ trợ khảo sát tận nơi, đo kiểm Voc ngoài hiện trường và lắp đặt trọn gói. Hệ thống cửa hàng trải ba miền giúp anh chị xem sản phẩm thật và nhận báo giá nhanh.
Trụ sở chính tại TP.HCM
Văn phòng 188 DHT 41, P. Đông Hưng Thuận, TP. Hồ Chí Minh. Tổng kho 2939 Quốc lộ 1A, P. Đông Hưng Thuận, TP. Hồ Chí Minh.
Hotline 088.60.60.660
Chi nhánh miền Tây Cần Thơ
Showroom 41D Mậu Thân, P. Cái Khế, Q. Ninh Kiều, TP. Cần Thơ. Tổng kho 90 Quốc lộ 91, P. Thốt Nốt, TP. Cần Thơ.
Hotline 084.60.60.660
Anh chị cần tính điện áp hở mạch chuỗi và chọn cấu hình dàn pin đúng chuẩn thì gọi 088.60.60.660 hoặc xem thêm tại vietnamsolar.vn.
Tài liệu tham khảo từ nguồn quốc tế
- 1PVEducation. (n.d.). Open-Circuit Voltage. Arizona State University.
- 2PVEducation. (n.d.). Short-Circuit Current. Arizona State University.
- 3PVEducation. (n.d.). IV Curve. Arizona State University.
- 4PVEducation. (n.d.). Effect of Temperature. Arizona State University.
- 5PVEducation. (n.d.). Fill Factor. Arizona State University.
- 6PVEducation. (n.d.). Voltage at the Maximum Power Point – Vmp. Arizona State University.
- 7PVEducation. (n.d.). Module Circuit Design. Arizona State University.
- 8PVEducation. (n.d.). PV Module Temperature. Arizona State University.
- 9PVEducation. (n.d.). Standard Solar Spectra. Arizona State University.
- 10PVEducation. (n.d.). Series Resistance. Arizona State University.
- 11PVEducation. (n.d.). Shunt Resistance. Arizona State University.
- 12PVEducation. (n.d.). Mismatch for Cells Connected in Series. Arizona State University.
- 13International Electrotechnical Commission. (2020). IEC 60904-1:2020, Photovoltaic devices – Part 1: Measurement of photovoltaic current-voltage characteristics. IEC Webstore.
- 14International Electrotechnical Commission. (2019). IEC 60904-3:2019, Photovoltaic devices – Part 3: Measurement principles for terrestrial photovoltaic (PV) solar devices with reference spectral irradiance data. IEC Webstore.
- 15International Electrotechnical Commission. (2021). IEC 60891:2021, Photovoltaic devices – Procedures for temperature and irradiance corrections to measured I-V characteristics. IEC Webstore.
- 16International Electrotechnical Commission. (2021). IEC 61215-1:2021, Terrestrial photovoltaic (PV) modules – Design qualification and type approval – Part 1: Test requirements. IEC Webstore.
- 17International Electrotechnical Commission. (2023). IEC 61730-1:2023, Photovoltaic (PV) module safety qualification – Part 1: Requirements for construction. IEC Webstore.
- 18International Electrotechnical Commission. (2023). IEC 62548-1:2023, Photovoltaic (PV) arrays – Part 1: Design requirements. IEC Webstore.
- 19International Electrotechnical Commission. (2010). IEC 60269-6:2010, Low-voltage fuses – Part 6: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of solar photovoltaic energy systems. IEC Webstore.
- 20Sandia National Laboratories. (n.d.). Single Diode Equivalent Circuit Models. PV Performance Modeling Collaborative.
- 21Sandia National Laboratories. (n.d.). Sandia PV Array Performance Model. PV Performance Modeling Collaborative.
- 22Sandia National Laboratories. (n.d.). DC Array IV. PV Performance Modeling Collaborative.
- 23Sandia National Laboratories. (n.d.). Sandia Inverter Model. PV Performance Modeling Collaborative.
- 24U.S. Department of Energy. (n.d.). Solar Photovoltaic Performance and Efficiency Basics. Office of Energy Efficiency & Renewable Energy.
- 25U.S. Department of Energy. (n.d.). Photovoltaics. Solar Energy Technologies Office.
- 26UL Solutions. (n.d.). PV Module Certification. UL Solutions.
- 27UL Solutions. (2024). First-Ever Certification Issued for 2000 VDC PV Module. UL Solutions.
- 28National Renewable Energy Laboratory. (n.d.). Module Measurements. Photovoltaic Device Performance Calibration Services.
- 29Woodhouse, M., Feldman, D., Ramasamy, V., Smith, B., Silverman, T., Barnes, T., Zuboy, J., & Margolis, R. (2021). Research and Development Priorities to Advance Solar Photovoltaic Lifecycle Costs and Performance (NREL/TP-7A40-80505). National Renewable Energy Laboratory.
- 30National Fire Protection Association. (n.d.). Learn More About NFPA 70E. NFPA.
- 31Việt Nam Solar. (n.d.). Danh sách cửa hàng và hệ thống chi nhánh. Công ty TNHH Việt Nam Solar.
